ترجمه مقاله An Analytical Investigation on the Charge Distribution and Gate Control in the Normally Off GaN Double Channel MOS HEMT ( ترجمه مقاله : یک بررسی کامل در مورد توزیع بار و کنترل دریچه در MOS HEMT دارای دو کانال GaN به طور معمول خاموش )

کاربر محترم توجه داشته باشید که ترجمه یار با صرف هزینه های زیاد تلاش کرده تا این مقاله را به اندک ترین قیمت در اختیار خواننده محترم قرار دهد. پس خواهش مندیم با خرید این محصول با قیمت بسیار کم ما را در جهت ادامه دار کردن این مسیر یاری کنید.

مقاله با عنوان : An Analytical Investigation on the Charge Distribution and Gate Control in the Normally Off GaN Double Channel MOS HEMT را از اینجا دانلود کنید

پشتیبانی : دارد . در صورت  هرگونه مشکل با شماره 09367938018 در وآتس آپ یا تلگرام و یا به جهت سفارش ترجمه مقاله با پشتیبانی به شماره 09191732587 د ر وآتس آپ یا تلگرام تماس حاصل فرمایید.

کیفیت عالی

قیمت 10000 تومان

ژورنال IEEE Transactions on Electron Devices

سال مقاله 2018

ترجمه قسمتی از مقاله

چکیده

یک بررسی تحلیلی یکپارچه در زمینه توزیع بار و کنترل دریچه ترانزیستور MOS-HEMT معمولا خاموش (DC – MOS – HEMT)،‏ در این مقاله ارائه شده‌است. در مقایسه با GaN- MOS-HEMT معمولی، اجزای DC- MOS – HEMT یک لایه ورودی AIN نازک  (AlN – ISL) ‏را زیر کانال دو بعدی گاز الکترون (‏۲DEG) تشکیل می‌دهند، بنابراین یک کانال دوم را در سطح مشترک بین AlN – ISL و GaN زیرین، تشکیل می‌دهد. این مقاله تاثیر AIN- ISL را بر روی توزیع 2DEG و کنترل دریچه کانال‌های ورودی، نشان می‌دهد. کنترل دقیق Vth در برابر عمق فرورفتگی نیز به صورت تحلیلی بررسی شده است. نتایج تحلیلی به خوبی توسط شبیه‌سازی عددی یا کمی، مورد تایید قرار گرفته و مکانیسم‌های فیزیکی پشت این یافته‌ها به همراه بررسی‌های تحلیلی، توضیح داده می‌شوند. ​

واژگان کلیدی: تحلیلی، کنترل بار، MOS – دو کانال( MOS-HEMT DC – MOS – HEMT)‏، فرورفتگی یا شکاف در دریچه ، (معمولا خاموش).

Abstrac

A systematic analytical investigation of the charge distribution and gate control of the normally-off GaN double-channel MOS-HEMT (DC-MOS-HEMT) is presented in this paper. Compared to conventional GaN MOS-HEMT,theDC-MOS-HEMTfeaturesathinAlNinsertion layer (AlN-ISL) below the original two dimensional electron gas (2DEG) channel, thus forming a second channel at the interface between AlN-ISL and the underlying GaN. This paper reveals the impact of the AlN-ISL on the 2DEG distribution and the gate control of the channels. The sensitivity of V th against the recess depth is also analytically studied and is found to be nearly independent of the recess depth as long as the recess is terminated in the upper channel layer.Theanalyticalresultsarewellsupportedbynumerical device simulations, and the physical mechanisms behind thesefindingsareexplainedalongwiththeanalyticalinvestigations. IndexTerms —Analytical,chargecontrol,double

جدید ترین ها

جدید ترین محصولات ما

محصولات بیشتر
ترجمه مقاله Pro Forma Earnings Presentation Effects and Investment Decisions (ترجمه مقاله : اثرات ارائه فرم و سودهای سرمایه گذاری و تصمیمات سرمایه گذاری )

ترجمه مقاله Pro Forma Earnings Presentation Effects and Investment Decisions (ترجمه مقاله : اثرات...

10000 تومان

ترجمه مقاله Auditing Related Party TransactionsEvidence from Audit Opinions and Restatements ( ترجمه مقاله : معاملات حسابرسی مربوط به طرف شواهدی از نظرات و بازگرداندن حسابرسی )

ترجمه مقاله Auditing Related Party TransactionsEvidence from Audit Opinions and Restatements ( ترجمه مقاله...

10000 تومان

ترجمه مقاله Corporate social responsibility disclosure and corporate governance empirical insights on neo institutional framework from China ( ترجمه مقاله : افشای مسئولیت اجتماعی و حاکمیت شرکتها: بینش تجربی در چارچوب نهادی از چین )

ترجمه مقاله Corporate social responsibility disclosure and corporate governance empirical insights on neo institutional...

10000 تومان

ترجمه مقاله Unlocking the drivers of big data analytics value in firms ( ترجمه مقاله : ارزش بازکردن برنامه های راهبردی برای تحلیل داده های بزرگ در شرکت ها )

ترجمه مقاله Unlocking the drivers of big data analytics value in firms ( ترجمه...

10000 تومان

ترجمه مقاله The Emerging Cognitive Platform ( ترجمه مقاله : بستر شناختی در حال ظهور )

ترجمه مقاله The Emerging Cognitive Platform ( ترجمه مقاله : بستر شناختی در حال...

10000 تومان

ترجمه مقاله Mobile Edge Computing Survey and Research Outlook ( ترجمه مقاله : محاسبات لبه تلفن همراه بررسی و چشم انداز تحقیق )

ترجمه مقاله Mobile Edge Computing Survey and Research Outlook ( ترجمه مقاله : محاسبات...

10000 تومان

ترجمه مقاله Effect of PPP and Repetition Technique in Teaching Pronunciation to EFL Learner at the  Elementary level in Iran ( ترجمه مقاله : تأثیر روش PPP و تکرار در آموزش تلفظ زبان آموز با EFL در مقطع ابتدایی در ایران )

ترجمه مقاله Effect of PPP and Repetition Technique in Teaching Pronunciation to EFL Learner...

10000 تومان

ترجمه مقاله Info based approach in distributed mutual exclusion algorithms ( ترجمه مقاله : رویکرد مبتنی بر اطلاعات در محرومیت الگوریتم های  متقابل توزیع شده )

ترجمه مقاله Info based approach in distributed mutual exclusion algorithms ( ترجمه مقاله :...

10000 تومان

error: شما فقط اجازه مطالعه دارید
قیمت می خواهید؟ ما ارزانترین قیمت را ارائه می کنیم. کافیست فایل خود را یا از طریق منوی خدمات و سرویس ها => سفارش ترجمه ارسال کنید یا برای ما به آدرس research.moghimi@gmail.com ایمیل کنید یا در تلگرام و واتس آپ با شماره تلفن 09191732587 ارتباط بگیرید و ارزانترین قیمت ترجمه را از ما بخواهید
+