ترجمه مقاله A ± 3 ppm/◦C Single-Trim Switched Capacitor Bandgap Reference for Battery Monitoring Applications(3 m ppm / ◦C خازن سوئیچ تک اصلاح شده مرجع برای برنامه های نظارت بر باتری)

مقاله با عنوان A ± 3 ppm/◦C Single-Trim Switched Capacitor Bandgap Reference for Battery Monitoring Applications را از اینجا دانلود کنید.

پشتیبانی: دارد. در صورت هرگونه مشکل با شماره 09367938018 در واتس اپ یا تلگرام و یا جهت سفارش ترجمه مقاله با پشتیبانی به شماره 09191732587 در واتس اپ یا تلگرام تماس حاصل فرمایید.

کیفیت محصول: عالی

قیمت: 15000 تومان

ژورنال:ieee

سال مقاله: 2016

چکیده:

یک مرجع باند گپ دقیق در فرآیند BiCMOS 0.18 میکرومتر ایجاد شده است که باعث دستیابی به pp 3 ppm / ◦C گرایش هوا در σ 3 σ از 40- تا 110 درجه سانتیگراد می شود. مرجع برای استفاده از تر و تمیز تک دما و اجزای استاندارد طراحی شده است. ولتاژ مرجع خازن سوئیچ شده 3.65 ولت به دیجیتال ولتاژ سلول باتری به یک مدولاتور دلتا سیگما مرتبه 2 ارائه می شود. مرجع خازن سوئیچ شده از نمونه گیری کاملاً دیفرانسیل استفاده می کند که خطاهای ناشی از تزریق شارژ کانال و بازده ساعت را که با نمونه برداری دیفرانسیل شبه ارائه می شود ، کاهش می دهد. روش جدیدی برای نمونه برداری از ولتاژ Vbe به طور مستقیم بر روی خروجی تقویت کننده دیفرانسیل مرجع ایجاد شده است که خطایی را که از نمونه برداری متفاوت از شرایط Vbe و Vbe به طور مستقل وارد می شود ، حذف می کند. ترکیبی از مرجع bandgap و ADC دارای چگالی طیفی نویز ورودی 4.7 μV / √Hz از 0.1 تا 162 هرتز است که 15 بیت خروجی پایدار را ارائه می دهد.

مقدمه

در اینجا استفاده از دستگاه های الکترونیکی قابل حمل در چند دهه گذشته گسترش یافته است. وسایل الکترونیکی قابل حمل تقریباً منحصراً برای کارکردن به باتری احتیاج دارند و نشان دادن دقیق وضعیت شارژ باتری ، تجربه کاربر را بهبود می بخشد. باتری های لیتیوم یون (Li-Ion) به دلیل تراکم بالای سلول در برنامه های باتری قابل حمل محبوب هستند [1]. سلولهای لیتیوم یونی دارای یک دامنه ولتاژ قابل استفاده معمولی از 3.0 ولت تا 4.0 ولت هستند که بسته به شیمی دقیق سلول متفاوت است. ولتاژ سلول به عنوان تابعی از درصد حالت شارژ ، تغییر نسبتاً کمی در سطح را نشان می دهد. به عنوان مثال ، تغییر ولتاژ می تواند 300 میلی ولت از حالت شارژ 90٪ به 10٪ باشد [1]. هدف بسیاری از سیستم های نظارت بر باتری دستیابی به دقت٪ 1٪ در حالت شارژ است که می تواند برای اندازه گیری الگوریتم ها به 1 دقت ولتاژ از 300 میلی ولت یا 0.075 ± از 4.0 ولت برسد. دستیابی به دقت هدف در یک محدوده دما از -40 toC تا 110 ◦C نیاز به ولتاژ مرجع با کمتر از 5 m ppm / ◦C دما دارد. در نتیجه تقاضای مراجعه به باند گپ دقیق در مدارهای مجتمع مورد استفاده برای برنامه های باتری قابل حمل وجود دارد تا بهترین نشانه از وضعیت شارژ باتری باشد.

بزرگترین منبع خطا در بیشتر منابع شکاف باند ولتاژ جبران کننده تقویت کننده خطاست [2]. پیاده سازی های مختلفی از منابع باند گپ CMOS و BiCMOS مداوم با طیف وسیعی از تکنیک های حذف جبران کننده تقویت کننده خطا ، از جمله پیرایش افست و خرد کردن تقویت کننده ارائه شده است [3] – [6]. در برنامه های اندازه گیری ولتاژ سلول باتری ، مرجع bandgap توسط یک ADC استفاده می شود. ADC لازم است زیرا سیستم باید اطلاعات شارژ سلول را در قالب دیجیتال ارائه دهد. در یک ADC خازن روشن گسسته مبتنی بر ولتاژ مرجع نیازی به زمان مداوم ندارد. بنابراین ، اجرای مرجع مبتنی بر خازن روشن ، قابل اجرا است [2]. منابع باند گپ خازنی سوئیچ شده از این مزیت برخوردار است که می تواند به راحتی و با جبران خودکار صحیح خطای تقویت کننده خطا را به عنوان بخشی از فرایند سوئیچینگ طبیعی برای تولید ولتاژ مرجع خروجی حذف کند. یک مرجع باند گپ خازن سوئیچ دیفرانسیل می تواند در معرفی یک اصطلاح خطا از تزریق شارژ کانال و بازده ساعت در گره های حفاظت شارژ تقویت کننده خازن سوئیچ مضر باشد.

abstract

A precision bandgap reference has been developed in a 0.18 μm BiCMOS process that achieves ±3 ppm/◦C temperature drift at ±3 σ from -40 ◦C to 110 ◦C. The reference is designed to utilize single temperature trim and standard components. A 3.65 V switched capacitor reference voltage is provided to a 2nd order delta-sigma modulator ADC to digitize a battery cell voltage. The switched capacitor reference utilizes fully differential sampling which reduces the errors from channel charge injection and clock feedthrough introduced by pseudodifferential sampling. A new technique for sampling a Vbe voltage directly onto the output of the reference’s differential amplifier has been developed that removes the error that would be introduced from differentially sampling the Vbe and the Vbe voltage terms independently. The bandgap reference and ADC combination have an input referred noise spectral density of 4.7 μV/ √ Hz from 0.1 to 162 Hz yielding 15 stable output bits.

INTRODUCTION
THERE has been a proliferation of the use of portable electronic devices in the past several decades. Portable
electronics almost exclusively require batteries to operate and an accurate indication of the state of charge of the battery improves the user experience. Lithium ion (Li-Ion) batteries are popular in portable battery applications due to the high cell energy density [1]. Li-Ion cells have a typical usable voltage range from 3.0 V to 4.0 V, which varies depending upon the exact cell chemistry. The cell voltage exhibits a relatively small change in level as a function of the percentage of the state of charge. For example, the voltage change can be 300 mV from 90% to 10% state of charge [1]. Many battery monitoring systems aim to achieve ±1% accuracy on state of
charge which can translate for gauging algorithms to ±1% voltage accuracy out of 300 mV, or ±0.075% out of 4.0 V. Achieving the target accuracy over a temperature range from -40 ◦C to 110 ◦C requires a reference voltage with less than ±5 ppm/◦C temperature drift. As a result there is a demand for precision bandgap references in integrated circuits used for portable battery applications to provide the best indication of the state of charge of the battery.

جدید ترین ها

جدید ترین محصولات ما

محصولات بیشتر
ترجمه مقاله(Following isothermal and non-isothermal crystallization of poly (3-hexylthiophene) thin films by UV–vis spectroscopy)(تبلور هم دما و غیر هم دما لایه های نازک پلی هگزیلتیوفن توسط طیف سنجی UV-vis )

ترجمه مقاله(Following isothermal and non-isothermal crystallization of poly (3-hexylthiophene) thin films by UV–vis spectroscopy)(تبلور...

15000 تومان

ترجمه مقاله(The future of financial fraud)(آینده کلاه برداری )

ترجمه مقاله(The future of financial fraud)(آینده کلاه برداری )

15000 تومان

ترجمه مقاله(Deep learning for detecting financial statement fraud)(یادگیری عمیق برای کشف تقلب در صورت های مالی )

ترجمه مقاله(Deep learning for detecting financial statement fraud)(یادگیری عمیق برای کشف تقلب در صورت...

15000 تومان

ترجمه مقاله(Financial reporting quality and peer group selection)(کیفیت گزارشگری مالی و انتخاب گروه )

ترجمه مقاله(Financial reporting quality and peer group selection)(کیفیت گزارشگری مالی و انتخاب گروه )

15000 تومان

ترجمه مقاله(Insight into hydrostatic pressure effects on diffusible hydrogen content in wet welding joints using in-situ X-ray imaging method)(تفکر در مورد اثرات فشار هیدرواستاتیک بر میزان هیدروژن قابل انتشار در اتصالات جوشکاری مرطوب با استفاده از روش تصویربرداری اشعه ایکس )

ترجمه مقاله(Insight into hydrostatic pressure effects on diffusible hydrogen content in wet welding joints...

15000 تومان

ترجمه مقاله(SAII Afferents)(شاخص SAII )

ترجمه مقاله(SAII Afferents)(شاخص SAII )

15000 تومان

ترجمه مقاله(Deep learning-based intelligent face recognition in IoT-cloud environment)(شناسایی شاخص مبتنی بر یادگیری عمیق در محیط IoT ابری)

ترجمه مقاله(Deep learning-based intelligent face recognition in IoT-cloud environment)(شناسایی شاخص مبتنی بر یادگیری عمیق...

15000 تومان

ترجمه مقاله(Opinion mining in Persian language using a hybrid feature extraction approach based on convolutional neural network)(نظر کاوی در زبان فارسی با استفاده از رویکرد استخراج ویژگی ترکیبی مبتنی بر شبکه عصبی کانولوشن)

ترجمه مقاله(Opinion mining in Persian language using a hybrid feature extraction approach based on...

30000 تومان

error: شما فقط اجازه مطالعه دارید
قیمت می خواهید؟ ما ارزانترین قیمت را ارائه می کنیم. کافیست فایل خود را یا از طریق منوی خدمات و سرویس ها => سفارش ترجمه ارسال کنید یا برای ما به آدرس research.moghimi@gmail.com ایمیل کنید یا در تلگرام و واتس آپ با شماره تلفن 09191732587 ارتباط بگیرید و ارزانترین قیمت ترجمه را از ما بخواهید
+