ترجمه مقاله A 0.45 V, Nano-Watt 0.033% Line Sensitivity MOSFET-Only Sub-Threshold Voltage Reference With no Amplifiers(حساسیت به خط 0.45 ولت ، نانو وات 0.033٪ مرجع ولتاژ زیر آستانه بدون تقویت کننده)

مقاله با عنوان A 0.45 V, Nano-Watt 0.033% Line Sensitivity MOSFET-Only Sub-Threshold Voltage Reference With no Amplifiers را از اینجا دانلود کنید.

پشتیبانی: دارد. در صورت هرگونه مشکل با شماره 09367938018 در واتس اپ یا تلگرام و یا جهت سفارش ترجمه مقاله با پشتیبانی به شماره 09191732587 در واتس اپ یا تلگرام تماس حاصل فرمایید.

کیفیت محصول: عالی

قیمت: 15000 تومان

ژورنال: ieee

سال مقاله: 2016

چکیده:

مرجع ولتاژ زیر آستانه فقط MOSFET ولتاژ فوق العاده کم ، قدرت کم ، حساسیت به خط کم و بدون تقویت کننده ارائه شده است. حساسیت کم با اختلاف بین دو جریان مکمل و جبران مرتبه دوم ثبات دما را بهبود می بخشد. از روش فله محور استفاده شده است و بیشتر ترانزیستورها در منطقه زیر آستانه کار می کنند ، که کاهش قابل توجهی در حداقل ولتاژ تغذیه و مصرف برق را امکان پذیر می کند. علاوه بر این ، یک مدار اصلاح برای جبران تغییرات ولتاژ مرجع مربوط به فرآیند در حالی که حساسیت خط تحت تأثیر قرار نمی گیرد ، تصویب شده است. مرجع ولتاژ پیشنهادی در فرآیند CMOS 1.8 ولت 0.18 میکرومتر ساخته شده است. نتایج اندازه گیری نشان می دهد که مرجع می تواند با ولتاژ تغذیه 0.45 ولت کار کند. برای ولتاژهای تغذیه از 0.45 تا 1.8 ولت مصرف برق 15.6 nW است و متوسط ​​ضریب دما 59.4 ppm / ◦C در دامنه دمایی 40- تا 85 درجه سانتیگراد و میانگین حساسیت خط 0.033٪ است. نسبت رد منبع تغذیه اندازه گیری شده در 100 هرتز .350.3 دسی بل است. علاوه بر این ، سطح تراشه 0.013 میلی متر مربع است.

مقدمه

ITH تقاضای زیاد برای برنامه های آگاه به انرژی نسل بعدی مانند دستگاه های قابل حمل با مدت زمان طولانی مصرف باتری و شبکه های حسگر بی سیم ، مدارهای ولتاژ پایین توجه زیادی را به خود جلب کرده است. به عنوان یک جز critical مهم در بسیاری از برنامه های سیگنال آنالوگ و مخلوط ، مدارهای مرجع ولتاژ با ولتاژهای اتلاف و منبع تغذیه بسیار کم تولید شده اند .

برای طراحی مدارهای مرجع ولتاژ از ترانزیستورهای BJT استفاده شده است ، جایی که ویژگی های I-V BJT ها یک روش جذاب برای غلبه بر تغییرات روند ، ولتاژ و دما (PVT) ارائه می دهند. با این حال ، BJT ولتاژ مرجع بالایی تولید می کند که به ولتاژ منبع تغذیه بالایی نیاز دارد. این محدودیتهای ولتاژ پایین را ایجاد نمی کند ، برنامه های کم مصرف نیرو دارند. بعلاوه ، با پایین آمدن گره های فناوری ، استفاده از دستگاه های دو قطبی در مقایسه با سایر تکنیک ها مانند MOSFET های زیر آستانه ، غیر عملی می شود  ، که برای عملکرد صحیح به ولتاژ تغذیه کم نیاز دارد. اگرچه تقویت ولتاژ منبع تغذیه یک روش جایگزین برای تحقق یک مرجع ولتاژ پایین است  ، پمپ شارژ و مدارهای کنترل دیجیتال باعث افزایش مساحت و مصرف برق می شوند.

در هیچ BJT یا مدار تقویت وجود ندارد ، بنابراین ولتاژ منبع تغذیه را کاهش می دهد و در مقایسه با تنظیمات موجود باعث صرفه جویی در مصرف برق می شود. با این حال ، تنظیمات مدار , همچنین دارای اشکالات مختلفی است: ولتاژهای مرجع خروجی این مدارها بر اساس ولتاژ آستانه MOSFET ها است ، بنابراین ، ولتاژها با تغییرات روند تغییر می کنند. بعلاوه ، جریانهای مدارهای بایاس به تغییرات ولتاژ منبع تغذیه حساس هستند که منجر به حساسیت ضعیف خط می شود. بعلاوه ، اگرچه یک مدار اصلاح برای تغییر فرایند دروجود دارد ، به دلیل پیکربندی عدم تقارن بایاس ، که دامنه عملکرد ولتاژ تغذیه را محدود می کند ، حساسیت خط قابل اصلاح نیست.

abstract

An ultra-low voltage, low power, low line sensitivity MOSFET-only sub-threshold voltage reference with no amplifiers
is presented. The low sensitivity is realized by the difference between two complementary currents and second-order compensation improves the temperature stability. The bulk-driven technique is used and most of the transistors work in the sub-threshold region, which allow a remarkable reduction in the minimum supply voltage and power consumption. Moreover, a trimming circuit is adopted to compensate the process-related reference voltage variation while the line sensitivity is not affected. The proposed voltage reference has been fabricated in the 0.18 μm 1.8 V CMOS process. The measurement results show that the reference could operate on a 0.45 V supply voltage. For supply voltages ranging from 0.45 to 1.8 V the power consumption is 15.6 nW, and the average temperature coefficient is 59.4 ppm/◦C across a temperature range of −40 to 85 ◦C and a mean line sensitivity of 0.033%. The power supply rejection ratio measured at 100 Hz is −50.3 dB. In addition, the chip area is 0.013 mm2.

INTRODUCTION

WITH the high demand for next-generation power-aware applications such as long battery runtime portable devices
and wireless sensor networks [1], [2], low-voltage circuits have attracted considerable attention.As a critical component in many analog and mixed-signal applications, voltage reference circuits with ultra-low power dissipation and supply voltages have been developed [3], [4], and [6]–[17]. BJT transistors have been utilized to design voltage reference circuits [3], [4], where the I-V characteristics of BJTs offer an attractive method to overcome process, supply voltage and temperature (PVT) variations. However, BJTs generate a high reference voltage which requires a high supply voltage. This does not meet the low-voltage constraints for modern low-power applications. Furthermore, as technology nodes scale down, the use of bipolar devices becomes impractical in comparison with other techniques such as sub-threshold MOSFETs

جدید ترین ها

جدید ترین محصولات ما

محصولات بیشتر
ترجمه مقاله(Following isothermal and non-isothermal crystallization of poly (3-hexylthiophene) thin films by UV–vis spectroscopy)(تبلور هم دما و غیر هم دما لایه های نازک پلی هگزیلتیوفن توسط طیف سنجی UV-vis )

ترجمه مقاله(Following isothermal and non-isothermal crystallization of poly (3-hexylthiophene) thin films by UV–vis spectroscopy)(تبلور...

15000 تومان

ترجمه مقاله(The future of financial fraud)(آینده کلاه برداری )

ترجمه مقاله(The future of financial fraud)(آینده کلاه برداری )

15000 تومان

ترجمه مقاله(Deep learning for detecting financial statement fraud)(یادگیری عمیق برای کشف تقلب در صورت های مالی )

ترجمه مقاله(Deep learning for detecting financial statement fraud)(یادگیری عمیق برای کشف تقلب در صورت...

15000 تومان

ترجمه مقاله(Financial reporting quality and peer group selection)(کیفیت گزارشگری مالی و انتخاب گروه )

ترجمه مقاله(Financial reporting quality and peer group selection)(کیفیت گزارشگری مالی و انتخاب گروه )

15000 تومان

ترجمه مقاله(Insight into hydrostatic pressure effects on diffusible hydrogen content in wet welding joints using in-situ X-ray imaging method)(تفکر در مورد اثرات فشار هیدرواستاتیک بر میزان هیدروژن قابل انتشار در اتصالات جوشکاری مرطوب با استفاده از روش تصویربرداری اشعه ایکس )

ترجمه مقاله(Insight into hydrostatic pressure effects on diffusible hydrogen content in wet welding joints...

15000 تومان

ترجمه مقاله(SAII Afferents)(شاخص SAII )

ترجمه مقاله(SAII Afferents)(شاخص SAII )

15000 تومان

ترجمه مقاله(Deep learning-based intelligent face recognition in IoT-cloud environment)(شناسایی شاخص مبتنی بر یادگیری عمیق در محیط IoT ابری)

ترجمه مقاله(Deep learning-based intelligent face recognition in IoT-cloud environment)(شناسایی شاخص مبتنی بر یادگیری عمیق...

15000 تومان

ترجمه مقاله(Opinion mining in Persian language using a hybrid feature extraction approach based on convolutional neural network)(نظر کاوی در زبان فارسی با استفاده از رویکرد استخراج ویژگی ترکیبی مبتنی بر شبکه عصبی کانولوشن)

ترجمه مقاله(Opinion mining in Persian language using a hybrid feature extraction approach based on...

30000 تومان

error: شما فقط اجازه مطالعه دارید
قیمت می خواهید؟ ما ارزانترین قیمت را ارائه می کنیم. کافیست فایل خود را یا از طریق منوی خدمات و سرویس ها => سفارش ترجمه ارسال کنید یا برای ما به آدرس research.moghimi@gmail.com ایمیل کنید یا در تلگرام و واتس آپ با شماره تلفن 09191732587 ارتباط بگیرید و ارزانترین قیمت ترجمه را از ما بخواهید
+